APT802R8BN-BUTT datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаAPT802R8BN-BUTT
-
ПроизводительMicrosemi Corporation
-
ОписаниеMicrosemi Corporation APT802R8BN-BUTT Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 5 A DS Breakdown Voltage-Min: 800 V Drain-source On Resistance-Max: 2.8 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 20 A
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024